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TE Connectivity
DEVICE ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Device Maximum Ratings
Multi-channel Silicon ESD Flow-Through Arrays
IEC 61000-4-2, level 4
(ESD withstand)
Temperature
Peak Current
(tp=8x20 μ s)
Multi-Channel Arrays
Contact (kV)
Air (kV)
Operating (°C)
Storage (°C)
Ipp (A)
SESD0402Q2UG-0020-090 (2-ch)
SESD0802Q4UG-0020-090 (4-ch)
SESD1004Q4UG-0020-090 (4-ch)
20
20
-55 to +125
-55 to +150
2.0
SESD1103Q6UG-0020-090 (6-ch)
Caution: Stress exceeding Device Maximum Ratings may damage the device.
Prolong exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Device Electrical Characteristics @ T = 25°C
Input Capacitance (1)
Breakdown Voltage
(typ)
Reverse Leakage Current
( typ )
Clamping Voltage
(typ)
Multi-Channel Arrays
Typical (pF)
Maximun (pF)
V br @ I t = 1mA (V)
I L @ V RWM = 5.0V (nA)
V CL @ Ipp = 2.0A (V)
SESD0402Q2UG-0020-090 (2-ch)
SESD0802Q4UG-0020-090 (4-ch)
SESD1004Q4UG-0020-090 (4-ch)
0.20
0.22
+9.00 / -0.80
50.0
+9.20 / -0.80
SESD1103Q6UG-0020-090 (6-ch)
(1)
@ Vr = 0V, f = 3GHz, I/O to GND
DEVICE IV CHARACTERISTICS AND OPERATION
1.0
0.8
0.6
0.4
SESD Multi-channel Array IV
One-channel in Multi-channel SESD Array
Application
Circuitry
0.2
0
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ESD -V
Strike
path
ESD +V
Strike
path
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
GND
? Helps protect against damage from V ESD strikes to 20kV
contact & air discharge.
te.com
-1.0
Voltage (V)
? If the signal voltage goes below -0.8V or above +9.0V the
ESD device turns on and shunts to GND.
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